新型SiC基MOSFET器件结构为紧凑型碳化硅基MOSFET的元胞、终端和多层复合型栅结构。需要优化碳化硅基MOSFET设计及工艺流程，降低单位面积导通电阻Ronsp≤4mOhm*cm2，同时提高产品生产成品率达90%;（科技成果评价）提高栅源间耐负压的能力BVgs达到-10V，配合国产衬底及外延材料的验证，实现器件材料用国产化;进一步改进硅基功率MOSFET的高温漏电的特性，使产品达到工业级标准。
半导体元器件封装过程中使用焊膏(Solderpaste)将芯片固定在框架载片台上，在焊膏回流过程中出现助焊剂、锡珠飞溅到框架和芯片表面，芯片和框架表面沉积助焊剂，在后续药水清洗过程中能清洗大部分助焊剂，还或多或少残留少量助焊剂，导致铜线键合困难或焊点强度减弱。希望解决芯片和框架表面锡珠、助焊剂残留问题，芯片和框架表面达到无锡珠、无助焊剂残留。
常见的一些电动密集柜分为以下几种类型：1.单纯的继电器控制，没有任何安全保护措施或者仅采取一些开关进行限位。2使用单片机控制 通过按键或者键盘进行操作，利用红外传感器进行定位和安全防护，利用rs-422总线实现电动密集柜主控列与各移动列之间进行通信，这种能实现的功能多，但是缺乏人机界面操作，使用起来不方便，智能化程度不高。3采用PLC进行控制，虽然功能强大，使用方便，但是价格非常昂贵。需达到的技术指标：产品主控列配置彩色液晶触摸屏幕，可完成对区域的集中管理控制，活动列的电动操作面板可实现开架也闭架操作，同时可数码显示相应的列、节、层。活动列上配置液晶屏幕。可实时显示该列运行状态，并可以触摸的方式打开，关闭或者禁止架体运行，还具有查询功能。
技术需求：1、铸造单晶技术主要利用铸锭炉，定向生长方式生产准单晶硅片，具体技术要求如下：1) 单晶面积占整个大锭面积290%;2) 硅料一次利用率265%;3) 单晶籽晶板重复利用次数22次;4) 整锭光电转换效率220% (结合PREC工艺);2、低光衰、髙电阻分布均匀度的两元/三元共掺技术 主要利用B-Ga或者B-P-Ga三元共掺技术，获得低光衰、髙电 阻分布均匀度的高效多晶硅片，具体技术指标如下：1) 利用两元/三元共掺技术，利用PREC工艺电池光衰 <1.5%;2) 硅片整锭电阻要求控制在1?3Q_cm，其中l?1.8Q_cm硅片 占80%以上;3) 利用PREC工艺，整点光电转换效率220%。
