新型SiC基MOSFET器件结构为紧凑型碳化硅基MOSFET的元胞、终端和多层复合型栅结构。需要优化碳化硅基MOSFET设计及工艺流程，降低单位面积导通电阻Ronsp≤4mOhm*cm2，同时提高产品生产成品率达90%;（科技成果评价）提高栅源间耐负压的能力BVgs达到-10V，配合国产衬底及外延材料的验证，实现器件材料用国产化;进一步改进硅基功率MOSFET的高温漏电的特性，使产品达到工业级标准。
