新型SiC基MOSFET器件结构为紧凑型碳化硅基MOSFET的元胞、终端和多层复合型栅结构。需要优化碳化硅基MOSFET设计及工艺流程，降低单位面积导通电阻Ronsp≤4mOhm*cm2，同时提高产品生产成品率达90%;（科技成果评价）提高栅源间耐负压的能力BVgs达到-10V，配合国产衬底及外延材料的验证，实现器件材料用国产化;进一步改进硅基功率MOSFET的高温漏电的特性，使产品达到工业级标准。
技术需求：1、铸造单晶技术主要利用铸锭炉，定向生长方式生产准单晶硅片，具体技术要求如下：1) 单晶面积占整个大锭面积290%;2) 硅料一次利用率265%;3) 单晶籽晶板重复利用次数22次;4) 整锭光电转换效率220% (结合PREC工艺);2、低光衰、髙电阻分布均匀度的两元/三元共掺技术 主要利用B-Ga或者B-P-Ga三元共掺技术，获得低光衰、髙电 阻分布均匀度的高效多晶硅片，具体技术指标如下：1) 利用两元/三元共掺技术，利用PREC工艺电池光衰 <1.5%;2) 硅片整锭电阻要求控制在1?3Q_cm，其中l?1.8Q_cm硅片 占80%以上;3) 利用PREC工艺，整点光电转换效率220%。
