本发明公开了一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构，在芯片的中央区域为有源区，外围区域为终端区，有源区和终端区共同的n-衬底下方依次为n型FS层、p+阳极区及其阳极;在有源区中，n-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p+基区，p+基区中央设置有一个阴极n+发射区，每个n+发射区上方设置有阴极;p+基区上方设置有一个门极;在终端区的n-衬底内，设有与主结相连的两级场限环，场限环的上面有台阶状沟槽。本发明的复合终端结构可使终端击穿电压达到理想体击穿电压的95%以上。
