基于快速电流感应的单光子探测抑制电路，包括雪崩光电二极管，雪崩光电二极管通过电流源感应模块与输出端连接，雪崩光电二极管与电流源感应模块的连接点通过复位开关与输出端连接，电流源感应模块通过抑制开关与复位开关连接;雪崩光电二极管上所加的电压为雪崩电压VB与额外电压VEX之和，当光子到达时APD快速雪崩产生雪崩电流，电流源感应模块感应到电流的增加后发送信号使抑制开关打开，此时APD两端电压低于雪崩击穿电压导致雪崩停止，输出端产生一个电脉冲;电脉冲经过一段时间延时到达复位开关，使电路回到初始接收光子的状态。
本发明公开了一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构，在芯片的中央区域为有源区，外围区域为终端区，有源区和终端区共同的n-衬底下方依次为n型FS层、p+阳极区及其阳极;在有源区中，n-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p+基区，p+基区中央设置有一个阴极n+发射区，每个n+发射区上方设置有阴极;p+基区上方设置有一个门极;在终端区的n-衬底内，设有与主结相连的两级场限环，场限环的上面有台阶状沟槽。本发明的复合终端结构可使终端击穿电压达到理想体击穿电压的95%以上。
