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硅片降氧降硬质点涂层工艺研发

公司主要生产坩埚、石英辊道和陶瓷制品。随着光伏行业对各环节降低成本的要求越来越高,为了让光伏发电今早平价上网,我们于是开展了降氧降硬质点涂层工艺的研发。在切片环节,从传统砂浆切片改为金刚线切片。但是金刚线切片对硅锭内部的杂质硬质点要求却非常高,因为金刚线非常细,切到硬质点就容易断线,(科技成果评价)所以如何在铸锭过程中避免带入杂质,坩埚涂层质量非常关键。另外,硅片中的氧含量直接影响其光电转换效率的衰减速度,如何研发新的涂层,隔绝或者降低坩埚中的氧元素渗透进硅锭,也可以大大提高硅片的性能。我们遇到的技术难点是:硅片的纯度非常高,想找到合适的涂层材料,在1550度的高温下(铸锭1550-1600度)不对硅料产生污染,选择的余地很小。再考虑到需要降氧,隔绝杂质,困难就更大。

技术难题
耐30度盐酸的脱酸离心机技术

本公司采用酸相悬浮法工艺生产氯化聚乙烯,具体流程是:聚乙烯投入到循环利用的盐酸中进行通氯反应制成氯化聚乙烯浆液,后序通过脱酸、水洗、中和、干燥后包装成产品。需要耐30度盐酸的脱酸离心机技术,(科技成果评价)直接把高于25度的盐酸直接离出,从而减少了用水量;且杜绝用氢氧化钙对余下的低度盐酸进行中和,也就杜绝了氢氧化钙的使用,从根本上杜绝废物的产生。

技术难题
高纯度三正丁基铝的工业化生产技术

目前商品化的有机锡稳定剂的中间产品四丁基锡的制备工艺主要以格氏法、伍兹法、烷基铝法等为主,格式法生产四丁基锡存在反应工艺长,成本高,危险性大等缺点,但国外进口商品四丁基锡采用烷基铝法合成却有数年历史。目前烷基铝法制备四烷基锡的关键步骤是制备相应的烷基铝,三乙基铝制备技术已经规模商业化,三丁基铝,三辛基铝的合成技术也有报道;三烷基铝合成后,制备四烷基锡,通过丁烯,氢气,铝粉,合成三丁基铝,三丁基铝与四氯化锡按照一定比例反应可以制备四丁基锡。目前公司已经在小试上实现由三正丁基铝和四氯化锡反应制备四丁基锡的试验,当前最急需解决的是工业化三正丁基铝和四氯化锡制备四丁基锡的过程,以及由氢气,正丁烯,铝粉制备三正丁基铝的过程,并要求达到如下技术指标:三丁基铝:主成分含量:≥98%,氢化铝含量≤0.5%,乙基铝含量≤0.5%,无色或者淡棕灰色透明液体,铝含量:13.2%;四丁基锡:≥95%,淡黄色透明液体,锡含量:33.5%。

其他
VOCs超洁净排放控制及资源性组分回用成套设备

项目内容:1) 获得针对不同VOCs组分多级冷凝系统能耗最优化配置时的压力、各级冷凝温度与液态组分回收率的关系;2) 获得活性炭(吸附剂)填装量、吸附剂填装方式对吸附排放指标、压降和吸附热的影响机制,获得吸附罐设计的最优化科学方案,获得吸附-解吸的最佳操作方式;3) 开发针对VOCs处理得冷凝专用冷箱和专用吸附器。4) 开发基于“冷凝+吸附+三相分离“的集成VOCs治理系统及成套装备设计工艺包。5) 开发针对装卸车密闭收集系统、储罐顶压力平衡系统、码头船岸界面安全系统的各VOCs收集接口关键技术。技术指标:1) 非甲烷总烃排放浓≯50mg/m32) 特征污染物苯排放浓度≯1mb/m33) 特征污染物甲苯排浓度≯5mg/m34) 特征污染物二甲苯排放浓度不大于10mg/m3技术需求:成套技术转让或联合开发。

技术难题
HCL远程输送技术

氯碱装置产能50万吨/年KOH、PVC产能100万吨/年,HCL输送量约20000Nm³/h,由于采用的三套氯碱装置进行生产,装置间有一定的距离,如果进行装置大联运,将需要对HCL进行互补互送.由于含水氯化氢的腐蚀性问题,目前氯化氢压缩机尚不成熟 ,需要深入研究。

技术难题
超临界流体连续萃取(喷染)工艺与装置

研究花生、大豆、芝麻、核桃等油料植物果实中植物油和植物蛋白质的超临界二氧化碳萃取分离关键技术,包括:(1)萃取分离工业化工艺条件;(2)农药和重金属脱除工艺条件;(3)“高压超高压连续固体物料萃取和灭菌装置”专利的工业化;(4)示范工程等。项目突破的关键技术为超临界流体萃取分离过程的连续化,该装置的研制成功将是全世界首台真正意义的超临界流体连续萃取工艺和装置,是对超临界流体萃取技术的巨大提升,将会广泛地用于各种超临界流体萃取的应用场合。超临界流体喷染工艺与装置,该工艺和装置提出在全世界将是首创的,能够彻底解决超临界二氧化碳染色不能连续化和需要大型高压容器的问题,从而将大大促进超临界二氧化碳染色技术的工业化,尽早解决水染色所带来大的重大污染问题。

技术难题