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终端配电线损采集模块

1、配电线损模块电能计量及测量;2、配电线损模块时钟,可通过 RS232/485 接口可对配电线损采集模块校时;3、配电线损采集模块清零;4、配电线损模块数据存储与冻结,冻结内容及标识符应符合 DL/T 634.5101—2002 及其备案文件要求;5、配电线损模块事件记录,可记录每种事件总发生次数和(或)总累计时间;6、配电线损模块准确度要求;有功电能准确度要求应符合GB/T 17215.322-2008中8的规定;无功电能准确度要求应符合GB/T17215.323-2008中8的规定。 

技术难题
设计开发出一款侧向保护功能的电动踏板产品

设计开发出一款侧向保护功能的电动踏板产品开发项目,重点围绕可防侧向撞击的汽车踏板机构、可快速实现自锁功能的电动踏杠自锁机构、可控制踏杠自动伸缩和自锁机构的多功能控制系统等机构单元开发新型电动踏板。相比于传统的电动踏板更能适应严苛的越野环境,能够避免电机组件和踏板撞击损坏。(科技成果评价)并根据所设计可防侧向撞击的汽车踏板产品开展可靠性研究,依据可靠性分析结果对重新设计关键部件的结构尺寸。并进一步针对可防侧向撞击的汽车踏板产品小批量试制要求制定技术文件,确定合理的生产工艺过程产品开发过程中根据相应阶段提供:(1)技术图纸及相应说明文件;(2)具有较高创新性和实施性的专利 2~3 项,其中包括 1 项自锁机构方面的专利。踏板静载荷≤300Kg护杠撞击载荷≤300Kg;工作电压:12V额定功率(单电机):80~100W 额定电流:15A伸出时间≤2s缩回时间≤3s希望与知名院校、科研院所开展产学研合作,专家及团队长期从事于机械、智能控制领域,处于行业领先水平。

技术难题
超纯不锈钢包装容器(EP级)

项目内容:超高纯电子化学品及气体在集成电路,太阳能电池,LED等制造业过程中有着广泛的应用,需求巨大,该类材料目前了解到有三种包装类型,包括髙纯石英源瓶,高纯塑料(EP、PFA等)桶,不锈钢钢瓶。产品级别:≥8N技术指标:金属杂质总质量:≤lPPb,单个金属元素含量 <0.05PPb技术需求:整体光亮无弯曲,变形,无毛刺,沙眼,无锈蚀,发黑,发红,发黄,发篮等。

技术难题
VOCs超洁净排放控制及资源性组分回用成套设备

项目内容:1) 获得针对不同VOCs组分多级冷凝系统能耗最优化配置时的压力、各级冷凝温度与液态组分回收率的关系;2) 获得活性炭(吸附剂)填装量、吸附剂填装方式对吸附排放指标、压降和吸附热的影响机制,获得吸附罐设计的最优化科学方案,获得吸附-解吸的最佳操作方式;3) 开发针对VOCs处理得冷凝专用冷箱和专用吸附器。4) 开发基于“冷凝+吸附+三相分离“的集成VOCs治理系统及成套装备设计工艺包。5) 开发针对装卸车密闭收集系统、储罐顶压力平衡系统、码头船岸界面安全系统的各VOCs收集接口关键技术。技术指标:1) 非甲烷总烃排放浓≯50mg/m32) 特征污染物苯排放浓度≯1mb/m33) 特征污染物甲苯排浓度≯5mg/m34) 特征污染物二甲苯排放浓度不大于10mg/m3技术需求:成套技术转让或联合开发。

技术难题
新型SiC基MOSFET器件结构

新型SiC基MOSFET器件结构为紧凑型碳化硅基MOSFET的元胞、终端和多层复合型栅结构。需要优化碳化硅基MOSFET设计及工艺流程,降低单位面积导通电阻Ronsp≤4mOhm*cm2,同时提高产品生产成品率达90%;(科技成果评价)提高栅源间耐负压的能力BVgs达到-10V,配合国产衬底及外延材料的验证,实现器件材料用国产化;进一步改进硅基功率MOSFET的高温漏电的特性,使产品达到工业级标准。

技术难题
激光淬火硬度的均匀性与型面精度控制

激光表面热处理技术要求解决淬火大面积(尤其是整个拉延型面)型面淬火时的硬度不均问题及淬火部位型面过烧影响型面精度问题。采用普通电弧焊机对型面缺陷部位,如裂纹、砂眼、气孔修复很难控制,且焊接后的型面余量大,无法完成模具重要工作面,尤其是汽车外覆盖件模具特殊部位失效后的快速修复。目前公司铸件毛坯到公司后直接加工(原来采用了振动时效),铸件在加工后,以及转到后序制作中铸件还在变形,就由钳工来研合型面,工作量大,制作周期加长。希望找到解决铸件变形的控制方案。,模具铸件如何在满足交货期、质量、成本三者兼顾的基础上,把变形量控制在0.05mm/500mm范围(加工完成后的变形)。采用型面关键部位淬火失效修补技术,要求利用激光对模具型面失效部位进行精度和功能上的修复,使失效部位得到回复(最好是在模具现场实施精度恢复)。模具铸件在加工型面后发现砂眼,采用焊接方式处理,存在费时、质量等后续问题。希望找到快速修复铸件砂眼的技术手段。铸件在加工后不可避免发现存在砂眼等铸造缺陷。如何在铸件砂眼处,快速以相同材质加以修复,达到相同铸件的机械性能。

技术难题