随着雷达探测技术的飞速发展，P波段雷达(反隐身)已成为隐身武器的“克星”。二维纳米金属基微波吸收剂取向技术是提高P波段隐身的一个关键技术，国防意义重大。利用干法涂覆线，在生产线前段外加均匀磁场，使得二维纳米金属基吸收剂在树脂体内取向排列，可以大大提高涂膜的磁导率和磁损耗，同时，采用特殊复合工艺，制备层状隐身材料，解决武器P波段隐身的技术瓶颈。安徽璜峪需要设计和研制一个宽度为1.5M的磁场装置。
