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镭射断屑槽的仿真模拟及状态分析

将数字化仿真技术和高精度激光镭射技术相结合,开发高性能刀具高效精密数字化制造技术,为企业降本增效。具体功能要求如下:(1)将带有断屑槽的刀具及加工环境建模,并进行加工仿真,输出铁屑形态及刀具各个部位的应力分析和热分析;(2)根据分析结果,通过神经网络算法、克里金插值、遗传算法等算法进行数据优化;(科技成果评价)(3)优化结果再建模,进行仿真分析,最终确定最优方案,再进行物理实验。(4)将物理实验数据及仿真数据进行对比,记录差值,从而进一步优化仿真能力。主要技术指标需求如下:(1)软件运行环境:具有完整的建模软件,可以整体打包移植到Windows操作系统;(2)模拟能力:1)可以1:1复制需要模拟的刀具外形;2)支持外部导入模型;3)支持不同加工状态模拟;4)支持手动实验数据输入;5)飞屑分析:具备外形及轨迹分析能力;6)模拟误差:≤10%;(3)模拟算法:支持神经网络算法、克里金差值、遗传算法等分析方法;(4)数据输出:1)切削点的热量和应力分布;2)切削点的热量和应力分布变化量和刀具寿命的关系。

技术难题
电力线杆塔巡检读卡器

开发应用于RFID标签贴在电力线杆塔、圆形杆塔为水泥杆、内部有钢筋等金属物,以及人员或者无人机携带的读卡器,并利用其记录巡检路线。主要技术指标需求如下:(1)读写器工作频率:920-925MHz;(2)天线增益:≥8dBi;(3)稳定读写距离:≥18米;(4)读写器要能适配市面上的主流无人机,重量、体积、功耗要尽量小。

技术难题
新型SiC基MOSFET器件结构

新型SiC基MOSFET器件结构为紧凑型碳化硅基MOSFET的元胞、终端和多层复合型栅结构。需要优化碳化硅基MOSFET设计及工艺流程,降低单位面积导通电阻Ronsp≤4mOhm*cm2,同时提高产品生产成品率达90%;(科技成果评价)提高栅源间耐负压的能力BVgs达到-10V,配合国产衬底及外延材料的验证,实现器件材料用国产化;进一步改进硅基功率MOSFET的高温漏电的特性,使产品达到工业级标准。

技术难题
一种卧式加工中心虚拟装配与变心控制基础的技术

(1)技术目标:通过研发卧式加工中心的虚拟装配技术与变形控制技术,有效提高卧式加工中心的开发效率和质量。(2)技术内容:1.卧式加工中心虚拟装配建模技术研究,包括CAD模型信息提取与转换技术及软件接口开发、虚拟显示环境装配信息建模技术等;2.卧式加工中心虚拟装配交互技术研究,包括虚拟装配环境漫游技术、零部件装配运动控制技术、装配意图捕捉及运动导航技术、装配体识别技术等;3.卧式加工中心虚拟装配工艺设计技术,包括可装配性评估与验证技术、装配工艺信息记录技术、三维装配动画制作技术、三维装配工业设计与示教技术等;4.卧式加工中心虚拟装配系统开发;5.卧式加工中心整机热变形机理研究;6.卧式加工中心热变形控制方法研究。

外包开发
彻底去除芯片和框架表面助焊剂残留的解决方案

半导体元器件封装过程中使用焊膏(Solderpaste)将芯片固定在框架载片台上,在焊膏回流过程中出现助焊剂、锡珠飞溅到框架和芯片表面,芯片和框架表面沉积助焊剂,在后续药水清洗过程中能清洗大部分助焊剂,还或多或少残留少量助焊剂,导致铜线键合困难或焊点强度减弱。希望解决芯片和框架表面锡珠、助焊剂残留问题,芯片和框架表面达到无锡珠、无助焊剂残留。

外包开发
微电子专用液体纳米二氧化硅溶胶

项目内容:液体纳米二氧化硅溶胶系列产品能广泛应用于涂料、精密铸造、耐火材料、纺织、造纸、印刷、石油化工、电子等各个行业,本公司拟开发的是微电子行业专用高纯度电子级系列产品。技术指标:粒径:≤5nm;浓度:产品中SiO2的浓度控制在10~40%之间;PH值:1-12之间能任意控制;纯度:产品中固体SiO2的纯度≥99.999%;金属杂质:≤5PPm以下。技术难点: 1、该产品的生产工艺路线;2、粒径、浓度、纯度、杂质等的控制技术;3、主要设备的优选及制作。

技术难题